銷售P+F高壓型接近開關/NJ2-11-SN-G

CCC zui大工作電壓為 36 伏的產(chǎn)品，
無需經(jīng)過許可，且因此無須配備CCC-標識。
e1 2006/28/EG
周圍環(huán)境
環(huán)境溫度 -40 ... 85 °C (-40 ... 185 °F)
Mains-borne interference in accordance with ISO 7637-2:
Pulse 1 2a 2b 3a 3b 4
時 V <br>0 ... 500 &?; U_B = 18 ... 30 V 時
溫度漂移 
偏差 ≤ ± 4 µA / K
稱重
稱重傳感器是一種能夠將重力轉變?yōu)殡娦盘柕牧?rarr;電轉換裝置，是電子衡器的一個關鍵部件。
能夠實現(xiàn)力→電轉換的傳感器有多種，常見的有電阻應變式、電磁力式和電容式等。電磁力式主要用于電子天平，電容式用于部分電子吊秤，而絕大多數(shù)衡器產(chǎn)品所用的還是電阻應變式稱重傳感器。電阻應變式稱重傳感器結構較簡單，準確度高，適用面廣，且能夠在相對比較差的環(huán)境下使用。因此電阻應變式稱重傳感器在衡器中得到了廣泛地運用。
電阻應變式
傳感器中的電阻應變片具有金屬的應變效應，即在外力作用下產(chǎn)生機械形變，從而使電阻值隨之發(fā)生相應的變化。電阻應變片主要有金屬和半導體兩類，金屬應變片有金屬絲式、箔式、薄膜式之分。半導體應變片具有靈敏度高（通常是絲式、箔式的幾十倍）、橫向效應小等點。

壓阻式
壓阻式傳感器是根據(jù)半導體材料的壓阻效應在半導體材料的基片上經(jīng)擴散電阻而制成的器件。其基片可直接作為測量傳感元件，擴散電阻在基片內接成電橋形式。當基片受到外力作用而產(chǎn)生形變時，各電阻值將發(fā)生變化，電橋就會產(chǎn)生相應的不平衡輸出。
用作壓阻式傳感器的基片（或稱膜片）材料主要為硅片和鍺片，硅片為敏感材料而制成的硅壓阻傳感器越來越受到人們的重視，尤其是以測量壓力和速度的固態(tài)壓阻式傳感器應用普遍。
熱電阻
熱電阻測溫是基于金屬導體的電阻值隨溫度的增加而增加這一特性來進行溫度測量的。
熱電阻大都由純金屬材料制成，應用是鉑和銅，此外，已開始采用鎳、錳和銠等材料制造熱電阻。
熱電阻傳感器主要是利用電阻值隨溫度變化而變化這一特性來測量溫度及與溫度有關的參數(shù)。在溫度檢測精度要求比較高的場合，這種傳感器比較適用。較為廣泛的熱電阻材料為鉑、銅、鎳等，它們具有電阻溫度系數(shù)大、線性好、性能穩(wěn)定、使用溫度范圍寬、加工容易等特點。用于測量-200℃～+500℃范圍內的溫度。
儲存溫度 -40 ... 85 °C (-40 ... 185 °F)
機械特性
接線類型 5針M12連接器
 

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